الميزات: ذاكرة EEPROM تسلسلية 1K X 1 مع منطق الأمان

منطقتان للتطبيق تخزنان رموز الأمان وتتحقق من صحتها بحد أقصى أربع محاولات غير صحيحة لإدخال رمز الأمان

يوفر أمان قانون النقل

تشغيل الجهد المنخفض: 2.7 فولت إلى 5.5 فولت

تم تصنيعها باستخدام تقنية CMOS منخفضة الطاقة Vpp، وقت وصول للقراءة 2 ميكروثانية، وقت دورة الكتابة 3 مللي ثانية.حماية من التفريغ الكهروستاتيكي بحد أدنى ٤٠٠٠ فولت. موثوقية عالية: ١٠٠٠٠٠ دورة برمجة/مسح مضمونة

الاحتفاظ بالبيانات لمدة 10 سنوات